중국 NAND 업계 리더의 세 번째 공장, 장비의 절반 이상을 국내 공급업체로부터 조달한다.
중국의 창쯔메모리테크놀로지(Yangtze Memory Technologies, YMTC)는 올해 우한에서 완료될 예정인 3단계 공장 외에 두 개의 팹(fabs)을 추가로 건설할 계획이라고 로이터 통신이 오늘 보도했습니다. 로이터는 사안에 정통한 세 명의 소스를 인용하며, 이번 계획이 YMTC의 현재 웨이퍼 출력을 두 배 이상 증대시키는 규모라고 전했습니다.
로이터가 인용한 소스에 따르면, 세 개의 신규 공장 각각은 최대 용량으로 월 10만 장의 웨이퍼를 생산할 예정이며, YMTC가 기존에 보유하고 있는 우한의 두 팹과 합치면 총 20만 장의 웨이퍼를 생산합니다. 3단계 공장은 올해 말에 운영을 개시하여 2027년까지 월 5만 장에 달할 것으로 예상되며, 장비 설치 작업은 이미 진행 중입니다.
3단계 공장의 장비 중 50% 이상은 중국 공급업체에서 조달되었으며, 여기에는 3D NAND 레이어 수직 적층(vertical stacking)용 장비도 포함됩니다. 첨단 마이크로 제작 장비(Advanced Micro-Fabrication Equipment, AMEC)는 미국 상무부가 2022년 YMTC를 엔티티 목록(Entity List)에 추가한 이후 YMTC가 주로 의존해 온 현지 공급업체 중 하나입니다.
중국 반도체 산업, 2026년 말까지 국내 HBM3 생산 준비 박차
현재 YMTC의 국내 장비 채택률은 약 45%로, 이미 중국 팹 중 최고 수준입니다. 3단계 공장은 국내 장비 사용률이 절반을 넘어서는 YMTC의 첫 번째 사례입니다. 반면, 이미 우한에서 운영 중인 1단계와 2단계는 2022년 엔티티 목록 지정 이전에 건설되어, ASML과 같은 서방 기업의 장비 접근이 차단되기 전까지 서방 장비에 크게 의존해 왔습니다.
따라서 3단계 공장은 중국 장비가 대량 생산(at volume) 수준에서 3D NAND 수율을 유지할 만큼 기술적으로 발전했는지 검증하는 생산 규모의 시험대가 될 것입니다. 다만, 전문가들은 이 과정이 순탄치 않을 것으로 보고 있으며, 계획된 두 개의 추가 팹 건설 역시 이러한 결과에 달려 있습니다. 현재까지 중국 팹에 배치된 총 장비 중 현지 제조 장비의 비중은 15%에서 30% 수준에 불과하며, 베이징은 서방 선두 기업과 경쟁할 수 있는 기술을 구축하기 위해 수백억 달러(tens of billions)를 투자하고 있습니다.
한편, YMTC는 저전력 DRAM 샘플을 고객사에 보냈으며 연말까지 피드백을 받을 것으로 기대하고 있습니다. YMTC와 CXMT 모두 향후 2년간 DRAM 및 NAND 생산을 대폭 늘릴 것으로 알려졌으며, YMTC는 3단계 공장 용량의 약 50%를 NAND가 아닌 DRAM에 할당하기로 결정했습니다. 또한 YMTC는 AI 가속기에 사용되는 적층 DRAM을 위한 TSV(Through-Silicon Via) 패키징 기술 개발에도 주력하고 있는 것으로 전해집니다.
로이터가 인용한 UBS 보고서에 따르면, YMTC는 2025년 글로벌 NAND 시장에서 11.8%의 점유율을 기록하며, SanDisk와 동률을 차지했으나 SK하이닉스(16%), Kioxia(15.9%), Micron(13.3%)에는 뒤처진 상태입니다. 삼성전자가 30.4%로 선두를 차지하고 있습니다. Yole Group은 YMTC의 시장 점유율이 2028년까지 15%에 도달할 수 있다고 예측했는데, 이는 회사의 2026년 목표보다 2년 늦은 시점입니다. 현재 YMTC의 Xtacking 4.0 아키텍처는 약 270 레이어에서 구동되며, 이는 SK하이닉스의 321 레이어 4D NAND 플래시나 삼성의 9세대 V-NAND(286 레이어)에 비해 낮은 수치입니다.
[출처:] https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/ymtc-planms-two-additional-wuhan-fabs