레이스 리소그래피는 2029년 테스트 배포를 목표로 하는 노르웨이 업체이다.
노르웨이 스타트업 레이스 리소그래피(Lace Lithography)가 마이크로소프트의 지원을 받아 월요일에 시리즈 A 투자금으로 4,000만 달러를 유치했다고 로이터 통신이 보도했다. 이 자금은 빛 대신 헬륨 원자 빔을 사용하여 실리콘 웨이퍼를 패턴화하는 칩 제조 공정 개발에 사용될 예정이다. 레이스에 따르면, 이 기술은 기존 리소그래피 시스템보다 10배 작은 칩 특징을 만들 수 있으며, 빔 폭은 ASML의 EUV 스캐너가 사용하는 13.5나노미터 파장과 비교했을 때 단 0.1나노미터에 불과하다. 레이스는 2029년까지 파일럿 팹에서 테스트 장비를 가동하는 것을 목표로 하고 있다.
레이스 시스템의 장점은 원자가 회절 한계(diffraction limit)에 구애받지 않는다는 점이다. 반면, ASML의 EUV 시스템을 포함한 광자 기반 리소그래피는 사용되는 빛의 파장에 의해 근본적인 제한을 받는다. 칩 제조업체들이 특징을 미세화할수록 이 한계를 극복하기 위해 점점 더 복잡한 다중 패터닝 기술에 의존해 왔지만, 레이스는 중성 헬륨 원자와 단일 수소 원자 폭 정도의 빔을 활용하여 이 문제를 완전히 우회한다.
임엑(Imec)의 리소그래피 과학 책임자인 존 피터슨(John Petersen)은 로이터통신과의 인터뷰에서, 이 접근법이 트랜지스터 및 기타 구조물을 한 자릿수(order of magnitude)만큼, 즉 "거의 상상할 수 없을" 정도로 작게 줄일 수 있다고 언급했다. 레이스의 CEO이자 공동 창업자인 보딜 홀스트(Bodil Holst)는 이 기술을 통해 칩 제조업체가 "궁극적으로 원자 수준의 해상도(ultimately atomic resolution)"로 웨이퍼를 인쇄하는 것이 가능해질 것이라고 밝혔다.
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레이스는 자사 시스템을 "BEUV(Beyond-EUV)"라고 명명했다. 이 회사는 버겐 대학교(University of Bergen) 소속 물리학자 홀스트와 공동 창업자 아드리아 살바도르 팔라우(Adrià Salvador Palau)가 2023년에 설립했다. 현재 노르웨이, 스페인, 영국, 네덜란드 등지에 걸쳐 50명 이상의 직원을 고용하고 있으며, 지난달에는 SPIE Advanced Lithography + Patterning 2026 컨퍼런스에서 그 연구 결과를 발표했다.
레이스는 첨단 리소그래피 분야에서 ASML의 사실상 독점적 지위에 대안을 개발하는 증가하는 스타트업 목록에 합류하고 있다. 미국에 본사를 둔 서브스트레이트(Substrate)와 xLight는 모두 EUV 또는 X-ray 리소그래피용 입자 가속기 구동 광원(particle accelerator-driven light sources)을 구축 중이며, xLight는 미국 정부로부터 1억 5천만 달러의 자금을 확보했다. 캐논(Canon)은 2024년 9월 텍사스 전자학 연구소(Texas Institute for Electronics)에 최초의 나노임프린트 리소그래피 장비를 납품했으며, 중국의 Prinano 역시 자체 나노임프린트 시스템을 국내에 공급했다.
하지만 레이스의 접근 방식은 이들 경쟁사와는 근본적으로 다르다. 서브스트레이트와 xLight가 여전히 광자(photon)에 의존하는 반면, 레이스는 전자기 복사(electromagnetic radiation) 자체를 완전히 배제한다. 이는 레이스의 방식이 기존 공정 흐름(process flows) 생태계에 연결될 기반 자체가 없다는 것을 의미한다.
레이스가 시제품 시스템을 구축했지만, 연구실 단계에서 실제 양산 공정으로 나아가기까지의 간극은 언제나 매우 크다. 현재 회사는 2029년을 파일럿 시설 내 테스트 장비 배치 목표 시기로 설정하고 있으나, 그 이후 대량 생산으로의 전환이 이루어질 가능성은 그리 높지 않다. ASML은 수십 년과 수십억 달러를 투입하며 EUV를 연구 개념에서 상업 제품으로 발전시켰으며, 자금력이 풍부한 신규 진입자들조차도 실현 가능성을 확보하는 데까지는 오랜 시간이 걸린다.
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