예상보다 훨씬 일찍
니케이 보도에 따르면, TSMC는 애리조나에 위치한 Fab 21 phase 2에 오는 여름부터 장비 반입을 시작할 예정입니다. 지원 장비와 생산 공정 도구들이 2027년경에 설치가 완료되면, TSMC는 당초 계획보다 수 분기 앞당겨 N3 기술을 이용한 칩의 양산에 돌입할 수 있을 것으로 전망됩니다.
니케이가 보도한 내용이 사실이라면, TSMC는 애리조나 Fab 21 phase 2에 2026년 3분기(7월~9월)에 장비 설치를 시작하며, 이를 통해 시설을 2027년 달력 연도에 가동하는 것을 목표로 합니다. 이는 원래 계획이었던 2028년보다 수 분기 빠른 일정입니다.
회사에 따르면, TSMC의 애리조나 Fab 21 phase 2 건설은 올해 완료되었습니다. 건물 자체와 기계/전기/배관(M/E/P) 시스템이 완성된 후, 칩 제조업체들은 엘리베이터 및 HVAC와 같은 내부 인프라 설치를 시작합니다. 이 인프라 공정이 끝나면, 칩 제조사들은 환경 적합성 평가(environmental qualification)를 수행하며, 온도, 압력, 습도 등 모든 환경 요인이 안정화된 후에야 실제 생산 장비가 반입됩니다.
한편, TSMC는 애리조나에 총 12개의 Fab과 4개의 패키징 시설을 건설할 계획입니다.
Rapidus는 2027년 2nm 칩 대량 생산을 목표로 하며, 생산 능력을 4배 확대할 계획입니다. 이 회사는 단 1년 만에 월 25,000 웨이퍼 스타트(wafer starts) 규모로 확장할 예정입니다.
장비의 종류에 따라 설치 및 튜닝 기간은 몇 시간에서 며칠까지 소요됩니다. 특히 하이엔드 DUV 및 EUV 리소그래피 시스템은 팹 내 다른 장비보다 설치 및 튜닝에 훨씬 오랜 시간이 걸리는 것이 일반적입니다. 그럼에도 불구하고, 첫 번째 장비 그룹을 설치하고 이 장비들이 상호 작용하며 소규모 양산 체제를 구축하는 데는 수개월의 시간이 필요합니다. 하지만 TSMC는 애리조나에서 N3 제조 기술을 활용한 칩의 대량 생산을 이미 2027년에 시작할 기회를 잡을 수 있으며, 다만 초반 생산량은 제한적일 것으로 예상됩니다.
TSMC는 2025년 4월에 애리조나에 N2/A16급 Fab 21 phase 3 건설을 착수했습니다. 회사는 이 시설 역시 최대한 빨리 완공하여, 미국 내에서 2nm 및 1.6nm급 칩의 생산을 예정보다 앞당겨 시작하는 것을 목표로 하고 있습니다.
TSMC의 C.C. Wei CEO는 지난 10월 실적 발표 컨퍼런스 콜에서 "선도적인 미국 고객사들 및 미국 연방, 주, 시 정부의 강력한 협력과 지원 덕분에, 애리조나에서의 생산 능력 확대를 계속 가속화하고 있습니다. 우리는 가시적인 진전을 이루고 있으며, 계획대로 순조롭게 실행하고 있습니다. 더불어, 고객들로부터의 강력한 AI 관련 수요에 힘입어, 애리조나에서 N2 및 더욱 진보된 공정 기술로의 기술 업그레이드도 더욱 빠르게 준비하고 있습니다."라고 밝혔습니다.
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