건설 완료를 지연시키지는 않을까요?
니케이에 따르면, TSMC는 일본에 건설 중인 Fab 23 Phase 2의 역량을 업그레이드하여 해당 공장에서 N4 공정 기술(4nm급)의 칩을 생산하는 방안을 검토하고 있습니다. 파운드리 업계에서 TSMC와 같은 기업이 수요 변화에 따라 제공 서비스를 조정하는 것은 예상된 움직임이지만, 더욱 주목할 만한 점은 TSMC가 해당 부지에서 중장비 장비를 철거했으며, 공급업체들에게 2026년 전체 기간 동안 새로운 팹 장비가 필요하지 않다고 통보했다는 것입니다.
구마모토 인근에 위치한 TSMC의 Fab 23 Phase 2(JASM Phase 2로도 알려짐)는 당초 N6(6nm급) 및 N7(7nm급) 제조 기술로 칩을 생산할 예정이었으며, 이는 40nm, 28nm, 22nm, 16nm, 12nm급 제조 프로세서를 사용하는 회사의 Fab 23 Phase 1 역량을 보완하는 역할을 할 것으로 예상되었습니다. 만약 니케이의 정보가 정확하다면, Fab 21 Phase 2 역시 N4와 N5 역량을 추가하여 일본 고객들을 위해 더욱 진보된 칩을 생산할 수 있게 될 것입니다.
실제로는 N5/N4와 N7/N6 제조 기술군이 설계 규칙 자체가 완전히 다르며, 전자가 최대 14개의 EUV 레이어를 사용하기 때문에 후자보다 훨씬 발전된 기술임에도 불구하고, 사용되는 장비 자체는 대체로 유사합니다. 이 덕분에 TSMC의 N5/N4 팹은 N7/N6 생산 라인에서 사용된 장비의 최대 90%를 재활용할 수 있어 팹 업그레이드가 비교적 용이합니다. 그럼에도 불구하고 Fab 23 Phase 2를 N4 및 N5로 업그레이드하는 것이 TSMC에게 큰 어려움은 아닐 것으로 보이나, N4 생산 라인은 EUV 리소그래피 장비를 더 많이 요구하고 이 장비들이 DUV 장비보다 물리적으로 크기 때문에 일부 재설계가 필요할 수 있습니다. 실제로 회사는 2023년에도 이미 구마모토에서 N4 생산을 가능하게 하는 방안을 검토한 적이 있어, EUV 스캐너 등의 추가 장비 설치에 필요한 준비가 이미 상당 부분 완료되었을 가능성도 제기됩니다.
한편, 라피두스(Rapidus)는 2027년 대량 2nm 칩 생산을 목표로 하며, 생산 역량을 네 배로 늘릴 계획입니다. (회사에 따르면 단 1년 만에 월 25,000 웨이퍼 시작(wafer starts)으로 규모를 확대할 예정입니다.)
TSMC의 Fab 23 Phase 2 현장에 대해 주목할 만한 점은 다음과 같습니다. 니케이에 따르면 이 시설은 10월 말 물리적 건설 단계에 진입했다고 했으나, 11월 현장 사진에는 크레인, 굴착기, 파일 드라이버 등이 포착되었습니다. 그러나 12월 초에 촬영된 이미지에서는 거의 모든 중장비가 이미 제거된 것으로 확인되었습니다. 또한 공급업체들에게 작업이 일시 중단될 것이라는 통보가 있었으나, 구체적인 사유는 밝혀지지 않았습니다. 더욱이 TSMC는 장비 공급업체들에게 2026년 일본 내에서 새로운 장비가 필요하지 않다고 통보한 것으로 알려졌는데, 이는 건설 지연으로 인해 내년에 JASM Phase 2 장비 설비를 시작하지 않음을 시사하며, 이는 시설을 둘러싼 전반적인 정보를 고려할 때 크게 놀라운 소식은 아닙니다. TSMC 측은 이 보도에 대해 논평을 거부했으나, C.C. 웨이(C.C. Wei) 최고경영자는 회사 최신 실적 발표회에서 Fab 21 Phase 2의 건설 시작을 언급하며 다음과 같이 밝혔습니다. "일본 중앙, 도, 지역 정부의 강력한 지원에 힘입어, 구마모토에 설립된 첫 번째 전용 팹은 이미 2024년 말에 우수한 수율로 양산에 들어섰습니다. 두 번째 팹 건설도 시작되었으며, 가동 일정은 고객사의 수요와 시장 상황에 맞춰 진행될 것입니다."
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