미국 반도체 업계, 도쿄의 전폭적인 지원을 받아 히로시마 사업장 확장 예정.
니케이 아시아의 보도에 따르면, 마이크론(Micron)이 전용 고대역폭 메모리(HBM) 시설을 건설하기 위해 히로시마 사업장을 대규모로 확장할 계획이다. 이 보고서에 따르면, 회사는 기존 부지에 1조 5,000억 엔(US$9.6 billion)을 투자하여 새 플랜트를 건설할 예정이며, 공사는 내년 5월경 시작하고 2028년경에 출하를 시작할 것으로 예상된다. 다만, 일본 경제산업성(METI)은 프로젝트 지원을 위해 최대 5,000억 엔 규모의 보조금 지원을 제공할 것으로 예상되나, 현재 마이크론 측과 METI 어느 쪽에서도 해당 보도에 대한 공식적인 확인은 이루어지지 않았다.
HBM은 현재 AI 공급망에서 가장 핵심적인 병목 부품(bottleneck component)이 된 상황이며, 이는 이번 프로젝트에 정부 보조금 측면에서 상당한 무게를 실어주고 있다. SK하이닉스는 현재 시장을 선도하고 있으며, 2026년까지 HBM, DRAM, NAND 출하량의 대부분을 엔비디아(Nvidia)에 할당한 것으로 알려졌다. 삼성은 12단 HBM3E 스택을 통해 시장 추격에 나서고 있으며, 마이크론은 엔비디아 및 AMD와의 HBM3E 공급 계약을 바탕으로 자체적인 입지를 강화하는 데 집중하고 있다. 트렌드포스(TrendForce) 데이터에 따르면, 마이크론은 생산량 증가에 따라 HBM 시장의 약 4분의 1을 점유해 왔으며, 이번 전용 히로시마 확장 시설이 가동되면 시장 균형에 추가적인 변동을 가져올 수 있다.
일본은 국내 반도체 역량 재건이라는 광범위한 노력의 일환으로, 외국 반도체 제조업체들에게 상당한 규모의 정부 인센티브를 제공하며 이러한 투자를 적극적으로 유치해왔다. 이미 TSMC의 구마모토(Kumamoto) 팹과 국가 지원 프로젝트인 라피더스(Rapidus)가 이러한 전략의 일환으로 진행 중이다.
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마이크론 역시 그 수혜를 본 대표적인 사례가 있다. 마이크론은 작년에 동일 히로시마 캠퍼스에 EUV 기반 DRAM 생산 시설을 도입할 계획을 발표하며, 자체 자금 5,000억 엔과 약 2,000억 엔에 달하는 보조금 지원을 받아 진행하고 있다. 이 시설의 1γ 공정으로 생산된 최초의 LPDDR5X 메모리 장치는 올해 5월부터 샘플링에 들어갔다.
계획된 공장의 규모는 차세대 AI 가속기 시장의 기대치와 부합한다. 엔비디아와 AMD 모두 HBM4 및 HBM4E로 전환하고 있으며, 이들 제품은 더욱 정교한 공정 제어와 높은 적층(layer count)을 요구한다. 현재 GPU 주기 동안 전반적인 공급 역량은 부족했으며, 수요와 가용 웨이퍼 시작량 사이의 불균형으로 인해 긴 리드 타임과 할당 제한이 발생해왔다. 마이크론의 새 공장이 2028년에 양산 단계에 도달한다면, 이는 차세대 GPU가 시장에 출시되는 시점과 시의적절하게 맞물릴 전망이다.
마이크론에게 히로시마는 지정학적 리스크와 시장의 불확실성이 증가하는 시점에 정치적, 재정적 안정성을 제공한다는 이점이 있다. 특히 도쿄가 프로젝트 자금의 3분의 1을 지원할 의향을 보인 것은 다년간의 건설 과정에서 발생할 수 있는 위험을 상당 부분 낮춰준다. 또한, 2028년까지의 긴 준비 기간은 마이크론이 시장 내 역할을 확대할 명확하고 안정적인 경로를 제시한다.
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