HBF는 DRAM을 대체하지 않을 것입니다.
SK hynix는 SK AI Summit 2025에서 DRAM 로드맵을 발표했습니다. 이 계획이 매우 광범위하고 중요한 세부 내용은 공개하지는 않았지만, DRAM 기술 발전의 방향과 신규 기술의 예상 도입 시점을 보여줍니다. 특히, SK hynix가 이 로드맵을 AI 관련 행사에서 공개했기 때문에, AI 서버 시장에 대한 명확한 기술적 초점(bias)을 가지고 있습니다.
DDR, GDDR, LPDDR과 같은 기존 DRAM 유형은 향후에도 다양한 애플리케이션의 메모리 수요를 지속적으로 충족시킬 것입니다. 한편, 대역폭을 많이 요구하는 AI 및 HPC(High Performance Computing) 프로세서 시장에서는 HBM(High Bandwidth Memory)이 그 역할을 계속 이어갈 전망입니다. SK hynix는 3D DRAM이 2030년경에 출시될 것으로 예상하지만, 구체적인 내용은 부족하여 이 기술이 다음 10년 초에 어떤 기능을 제공할지 예측하기는 어렵습니다.
DDR5는 당분간 비용, 밀도, 성능 사이의 균형을 제공할 것입니다. 이는 2026년~2027년에 출시될 예정이며 데이터 전송 속도 12,800 MT/s를 지원하는 MRDIMM Gen2 형태나, 2nd Generation CXL 메모리 익스팬더(2027년~2028년 시장 출시 예상)와 같은 폼팩터로 진화할 것입니다. 앞서 보고된 바와 같이, DDR6는 2029년 또는 2030년에나 등장할 예정이며, 그 전까지 DDR5는 계속 발전할 것입니다.
SK그룹 회장, 메모리 칩 부족 현상 2030년까지 지속 전망
실리콘 레벨에서 다양한 데이터 센터 지향 기능을 갖추게 된 LPDDR6은 2020년대 후반에 고용량, 고성능, 저전력 소비를 결합한 형태가 될 것으로 예상됩니다. SK hynix는 LPDDR6 기반의 SOCAMM2 모듈이 2020년대 후반에 출시될 것으로 기대하고 있으며, 이는 엔비디아(Nvidia)가 Vera 이후 세대 CPU를 발표하고 새로운 메모리 서브시스템을 필요로 할 시점과 맞물릴 수 있습니다. 주목할 점은, SK hynix가 특화된 응용 분야를 위해 2028년경에 LPDDR6-PIM(Processing-in-Module) 솔루션을 출시할 계획이라는 것입니다.
GDDR7의 경우, HBM 대비 낮은 비용과 높은 성능을 결합했으나, 필요한 용량이 부족하다는 점에서 Nvidia의 Rubin CPX와 같은 추론 가속기 전용 틈새(niche) 솔루션으로 자리할 전망입니다. SK hynix는 'GDDR7-Next'를 언급하며 이는 아마도 GDDR8을 의미하는 것으로 추정됩니다. 회사는 Nvidia 전용 솔루션 개발에 강점을 가진 마이크론(Micron)과 달리, 이 분야에서 독보적인 위치를 차지하고 있지는 않습니다.
향후 몇 년간 SK hynix의 최고 성능 DRAM 솔루션은 HBM4, HBM4E, HBM5, HBM5E 메모리 솔루션이 될 것이며, 이들은 현재부터 2031년까지 약 1.5년~2년 간격으로 순차 출시될 예정입니다. 흥미로운 점은, 엔비디아의 Feynman에 탑재될 것으로 예상되는 HBM5가 2028년 말 출시가 예정되어 있음에도 불구하고, 실제로는 2029년 또는 심지어 2030년에나 등장할 것으로 예측된다는 것입니다. 맞춤형 메모리 솔루션이 필요한 고객을 위해 SK hynix는 맞춤형 HBM4E, HBM5, HBM5E 모듈도 제공할 계획이나, 고객사들이 이러한 장치들을 어떻게 커스터마이징할지는 아직 지켜봐야 할 부분입니다.
HBM과 유사한 성능을, 3D NAND와 유사한 용량을 제공할 것으로 기대되는 고대역폭 플래시(HBF) 제품에 대해서는, SK hynix가 2030년 이전 출시를 예상하지 않습니다. 그 이유는 회사가 새로운 미디어를 개발해야 할 뿐만 아니라, 특히 올해 초 이 기술을 제안했던 SanDisk 같은 다른 NAND 메모리 제조사들과 최종 사양에 대한 합의가 필요하기 때문입니다.
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