최근 공개된 AMD 특허가 돌고 있지만, 이는 이전 연구의 연장선상에 있을 뿐이다.
최근 AMD의 특허 US19/201,497("High-bandwidth memory module architecture")이 다시 주목받고 있으며, Reddit과 같은 온라인 커뮤니티에서는 이 특허를 바탕으로 AMD가 준비하는 '새로운' HB-DIMM 메모리 기술에 대한 다양한 추측이 쏟아지고 있습니다. 그러나 AMD가 실제로 신기술을 개발 중일 가능성은 낮습니다. 오히려 이 특허는 2022년으로 거슬러 올라가는 기존 특허의 연장선상에 있는 것입니다. 해당 회사가 설명하는 이 기술적 내용은 이미 AMD가 현재 출하하고 지원하는 MRDIMM 기술로 대체되어 적용되고 있습니다.
원래 특허는 US12300346B2("High-bandwidth memory module architecture")로 알려져 있으며, 이는 2023년 US20230178121A1로 대체되었습니다. 이 후자는 실제로 지난 7월에 공개된 '새로운' 출원 내용이 반영된 특정 문서에 불과합니다. 즉, 이 기술 자체가 혁신적인 신기술은 아니며, AMD가 최근 이 특허들을 활용하는 활동은 지적 재산권 보호를 위한 단순한 '행정적 절차(bureaucratic housekeeping)'에 가깝다고 볼 수 있습니다.
그렇다면 이 특허들이 실제로 다루는 기술은 무엇일까요? HB-DIMMs는 단일 메모리 모듈 내에서 "두 개 이상의 독립적으로 주소 지정 가능한 가상 채널(pseudo-channels)"을 통해 멀티플렉싱 액세스(multiplexed accesses)를 수행하는 새로운 메모리 모듈 유형입니다. 여기서 가상 채널은 필연적으로 메모리 랭크(memory ranks)와 동일한 개념은 아니며, 모듈 내의 분리된 구역을 의미하며, 단일 랭크 내부 또는 여러 랭크에 걸쳐 존재할 수 있습니다.
이러한 구조 덕분에 표준 DDR5 DRAM의 유효 전송 속도를 두 배로 높일 수 있지만, 이를 구현하기 위해서는 추가 데이터 버퍼와 RCD(Register Clock Driver)를 포함한 새로운 구성 요소가 포함된 모듈이 필수적입니다. 이는 현존하는 메모리 구조에 변화를 요구하는 것입니다.
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