JEDEC 사양을 뛰어넘는.
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SK하이닉스는 HBM4 메모리 개발을 완료하고 메모리 스택의 양산 준비를 마쳤다고 금요일에 밝혔습니다. SK하이닉스의 HBM4 스택은 성능 면에서 JEDEC 표준 사양을 25% 초과하지만, AMD, Broadcom 또는 Nvidia와 같은 차세대 AI 가속기 개발사들이 2026년 제품에 이 잠재력을 실제로 활용할지는 지켜봐야 합니다.
SK하이닉스 HBM4 메모리 스택은 2,048비트 I/O를 특징으로 하며, 이는 2015년 이후 처음으로 HBM 인터페이스 폭이 두 배로 증가한 것입니다. 또한 10 GT/s의 데이터 전송 속도를 구현하여 공식 JEDEC 표준보다 25% 높은 성능을 자랑합니다. 이 메모리 스택은 우수한 성능 효율성과 노드 성숙도(낮은 결함 밀도 및 변동성)를 결합한 검증된 1b-nm(5세대 10nm급) 공정 기술로 제작된 특수 설계 DRAM 다이를 사용합니다.
HBM4 모듈의 경우, SK하이닉스는 검증된 어드밴스드 매스 리플로우 몰딩 언더필(Advanced Mass Reflow Molded Underfill, MR-MUF) 방식을 지속적으로 활용합니다. 이 공정에서는 여러 메모리 칩을 베이스 기판 위에 배치한 후 단일 리플로우 단계에서 결합합니다. 이후 스택된 DRAM 레이어, 베이스 다이 및 기판 사이의 공간은 몰드 재료로 채워져 구조를 단단히 고정하고 보호합니다. 어드밴스드 MR-MUF는 SK하이닉스가 12-Hi HBM 스택의 높이를 규격 내로 유지하고 전력 소모가 많은 메모리 모듈의 방열 성능을 개선할 수 있게 합니다.
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개발을 총괄한 주환 조(Joohwan Cho) SK하이닉스 HBM 개발팀 총괄은 "HBM4 개발 완료는 업계의 새로운 이정표가 될 것"이라며, "고객의 요구에 맞는 성능, 전력 효율성 및 신뢰성을 갖춘 제품을 적시에 공급함으로써, 시장 출시 시간을 단축하고 경쟁 우위를 확보할 것입니다"라고 말했습니다.
다만 SK하이닉스는 HBM4 장치가 사용되는 DRAM 레이어 수나 용량에 대해서는 밝히지 않았습니다. 비록 Nvidia의 Rubin 데이터센터 GPU에 사용될 12-Hi 36GB 장치일 가능성이 높지만, 이는 추측에 불과합니다. 또한 초기 HBM4 스택에 TSMC가 생산한 12FFC+(12nm급) 또는 N5(5nm급) 베이스 로직 다이를 사용했는지 여부도 공개하지 않았습니다.
가장 주목할 만한 점은 SK하이닉스가 JEDEC 사양을 능가하여 HBM4 스택을 10 GT/s의 데이터 전송 속도로 인증하기로 결정했다는 사실입니다. 이는 표준에서 정한 8 GT/s보다 높은 수치입니다. SK하이닉스만이 JEDEC 사양을 초과하는 것은 아닙니다. Micron은 현재 9.2 GT/s 데이터 전송 속도의 HBM4 장치를 샘플링하고 있으며, Rambus는 10 GT/s 속도가 가능한 HBM4 메모리 컨트롤러를 보유하고 있습니다. 비록 실제 칩 개발사들이 추가 성능을 어느 시점에 활용할 수는 있으나, Rambus가 수년 전 공유한 분석에 따르면 대부분의 개발사들은 추가적인 여유분(안정성)을 확보하기를 원합니다.
SK하이닉스는 HBM4 스택의 양산 준비를 마쳤다고 발표했지만, 대량 생산을 시작할 정확한 시점은 공개하지 않았습니다.
SK하이닉스의 자이러스 김(Justin Kim) 사장 겸 AI 인프라 총괄 책임자는 "세계 최초의 HBM4 양산 시스템 구축을 발표합니다. HBM4는 AI 인프라의 한계를 뛰어넘는 상징적인 전환점으로, 기술적 난제 극복에 핵심적인 제품이 될 것입니다. 당사는 AI 시대에 필요한 최고의 품질과 다양한 성능을 갖춘 메모리 제품을 적시에 공급함으로써 풀스택 AI 메모리 프로바이더로 성장할 것입니다"라고 밝혔습니다.
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