이 돌파구의 핵심은 갈륨 안티모나이드와 알루미늄 안티모나이드를 이용한 첨단 산업 공정입니다.
UltraRAM의 상업화 노력이 큰 진전을 거두었습니다. UltraRAM의 개발사인 Quinas Technology는 지난 1년간 고급 웨이퍼 제품 제조업체인 IQE plc와 협력하며 UltraRAM 메모리 장치를 산업 공정 규모로 확대하는 작업에 매진해 왔습니다. Blocks & Files 보도에 따르면, 이번 협력은 성공적으로 마무리되었으며, DRAM에 버금가는 속도, NAND보다 4,000배 높은 내구성, 그리고 최대 천 년까지 데이터 보존이 가능한 이 메모리가 이제 상업 생산 직전에 이르렀습니다.
이번 설계는 세계 최초라고 주장되는 새로운 고급 갈륨 안티모나이드 및 알루미늄 안티모나이드 에피택시 공정 개발 덕분에 UltraRAM 대량 생산이 가능해졌습니다.
UltraRAM은 화합 반도체 층을 결정성 기판 위에 높은 정밀도로 성장시키는 에피택시 공정에 의존합니다. 이후 포토리소그래피(photolithography)나 식각(etching) 등 기존에 알려진 일반적인 반도체 제조 공정이 적용되어 메모리 칩 구조가 구현됩니다.
40년 전, 우리는 IBM의 DRAM 돌파구와 함께 메가비트 메모리 시대로 진입했습니다.
IQE의 CEO 주타 마이어(Jutta Meier)는 Blocks & Files를 통해 인용된 성명에서 "우리는 패키지된 칩의 산업적 생산을 향한 이정표인 UltraRAM의 확장 가능한 에피택시 공정 개발이라는 목표를 성공적으로 달성했습니다"라고 밝혔습니다. 이어 "이 프로젝트는 차세대 화합 반도체 재료를 영국에서 구현할 수 있는 독특한 기회입니다"라고 덧붙였습니다.
Quinas의 CEO이자 공동 창립자인 제임스 애쉬포스-푹(James Ashforth-Pook) 역시 이번 협력의 성공을 "대학 연구 단계에서 상업용 메모리 제품으로 나아가는 여정의 중요한 전환점"이라고 평가했습니다.
상업화 로드맵의 다음 단계로, Quinas와 IQE는 현재 다양한 파운드리 및 기타 협력사들과 파일럿 생산을 검토 중인 것으로 알려졌습니다.
혹시 UltraRAM 기술의 전개 과정을 주목하지 않으셨다면, 저희는 2022년 이 새로운 메모리 기술을 처음 다룬 바 있습니다. 이 기술은 DRAM급 속도, 1펨토줄(femtojoule) 미만의 스위칭 전력, NAND 대비 4,000배 높은 내구성, 그리고 최대 천 년까지의 비휘발성을 자랑했습니다. 특허받은 이 기술은 공명 터널링(resonant tunneling)이라는 양자 역학적 프로세스를 활용하는 최초의 메모리 장치였습니다.
이 기술의 개발 과정을 지켜보는 것은 매우 흥미로운 경험이었습니다. 하지만 블록버스터급 논문(white paper)이 상업적 생산 단계에 이르기까지의 여정은 길고 어려우며 험난했기 때문에, 많은 이들이 이 기술이 다시 시장에 나올지 의문을 가졌습니다.
2023년 9월, 저희는 최근 랭커스터 대학교에서 분사하여 Quinas Technology가 주도하게 된 UltraRAM 연구소를 방문하는 기회를 가졌습니다. 그곳에서 저희는 또 다른 이정표인, 테스트 중인 프로토타입 UltraRAM 메모리 칩을 가장 먼저 접한 사람들 중 한 명이었습니다.
이제는 UltraRAM 제조 공정을 대량 생산에 맞춰 확장하는 작업이 본격적으로 이루어지면서 상황이 매우 고무적입니다.
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