품질은 난야와 비슷하지만, 수확량은 약 50%입니다.
디지타임스(Digitimes)에 따르면, 창신 메모리 테크놀로지스(ChangXin Memory Technologies, CXMT)는 품질 향상을 위해 DDR5 메모리 장치 양산 일정을 2025년 말로 연기해야 했습니다. 하지만 같은 보고서에 따르면, CXMT의 DDR5 IC 품질은 현재 나냐(Nanya)와 대등한 수준에 도달한 것으로 알려졌습니다. 수율과 품질의 개선, 그리고 CXMT의 생산 능력 확대가 결합되면서, 대만 기반의 소규모 벤더뿐 아니라 글로벌 플레이어들까지 CXMT가 시장에 미칠 영향에 대해 우려하고 있습니다.
예상치 못한 전개로, CXMT가 지난해 말부터 DDR5 메모리 생산을 시작했다는 보도가 나오면서, 중국 기반의 DRAM 제조업체가 값싼 DDR5 IC로 시장을 범람시킬 것이라는 우려를 낳았습니다. 이후 밝혀진 바에 따르면, CXMT는 16GB DDR5 장치를 생산하기 위해 구형 공정 기술(추정컨대 4세대 DRAM 노드)을 사용하고 있었으며, 이로 인해 해당 칩이 삼성에서 생산하는 16GB DDR5 IC보다 크기가 40%나 크다는 문제가 있었습니다. 이는 CXMT의 DDR5 DRAM을 삼성의 DDR5 칩 대비 제작 비용이 상당히 높게 만든다는 것을 의미했고, 결과적으로 이러한 제품으로 시장을 범람시키는 것이 매우 어렵고 비경제적이라는 결론에 이르렀습니다.
하지만 비용 문제는 CXMT의 DDR5 칩에 대한 유일한 문제점이 아니었습니다. 2025년 초에 진행된 CXMT DDR5 샘플에 대한 초기 테스트에서는 60°C 근처(DDR5 메모리 모듈이 밀집 시스템에서 흔히 사용하는 온도)에서 안정성 문제가 발생했으며, 영하 온도에서의 작동 문제도 발견되었습니다. 이러한 문제들로 인해 CXMT의 DDR5 IC를 기반으로 한 모듈은 신뢰성 기준을 충족할 수 없었습니다. 그 결과, CXMT는 고온 또는 저온 작동 문제를 해결하기 위해 새로운 포토마스크(비용이 많이 드는 공정)를 제작해야 하는 등 DDR5 장치 설계를 수정할 수밖에 없었습니다.
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결국 CXMT는 DDR5 메모리 양산을 지연시킬 수밖에 없었습니다. 내부 관계자들은 초기에는 2025년 5월 또는 6월경 양산이 시작될 것으로 예상했으나, 디지타임스는 7월까지는 대량 출하의 증거가 없다고 보도했습니다. 알고 보니, 열 관리 측면에서 발전했음에도 불구하고 CXMT의 생산 라인 수율은 여전히 50%를 겨우 넘는 비교적 낮은 수준에 머물러 있어 범용 DRAM으로는 용납할 수 없는 수치입니다. 디지타임스의 공급망 소스들은 CXMT가 산업 평균과 경쟁할 수 있는 수율에 도달하기 위해서는 더 많은 개선과 운영 경험이 필요하며, 이로 인해 양산 지연이 더욱 불가피할 것이라 시사합니다. 현재로서는 CXMT는 2025년까지 대규모 생산을 목표로 하고 있습니다.
핵심 요약 (내부 메모):
- 생산 목표: 2025년까지 대규모 생산 목표로 변경 필요.