• TSMC, 1.4nm급 공정 기술에 High-NA EUV가 필요하지 않다고 재차 강조

    하지만 결국 사용하게 될 것입니다.

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    [최종 교정 및 다듬은 버전]


    (제목 예시: 삼성전자, 'High-NA EUV' 기술 로드맵 제시... 차세대 공정 기술 경쟁력 확보 박차)

    (본문 시작)

    삼성전자는 차세대 메모리 및 파운드리 공정 기술의 핵심 동력으로 EUV(극자외선) 노광 기술의 고도화에 집중하고 있음을 강조하며 기술 로드맵을 구체화했다. 특히, EUV 공정 기술의 궁극적인 목표인 'High-NA EUV' 기술을 통해 첨단 공정의 난관을 극복하고 시장 경쟁력을 확보하는 데 주력할 방침이다.

    실제 노광 공정의 세부적인 기술 경쟁력은 ‘노광 단계’의 혁신에 달려있다. 삼성전자는 이와 관련하여 고성능 메모리 및 파운드리 공정 전반에 걸쳐 기술적 우위를 점하고 있음을 설명하며, 단순히 공정 미세화에만 집중하는 것이 아니라 공정 수율과 생산성(Productivity)을 극대화하는 방향으로 기술 혁신을 이끌어갈 것임을 시사했다.

    이러한 기술적 우위는 공정의 각 단계별로 구체화된다. 삼성전자는 핵심 기술 영역별로 차별화된 경쟁 우위를 제시하며, 특히 최첨단 공정에서 발생하는 물리적 한계를 넘어서기 위한 ‘차세대 EUV’ 기술 개발에 사활을 걸고 있음을 보여주었다.

    ◼ 공정별 기술 로드맵과 경쟁력

    삼성전자는 기술의 흐름에 따라 메모리 및 파운드리 전 공정에 걸쳐 로드맵을 제시했다.

    • 메모리 공정: 고대역폭 메모리(HBM)를 필두로 전반적인 메모리 제품군에서 고용량화와 고성능화를 동시에 달성하기 위한 공정 최적화에 집중한다. 이는 단순한 집적도를 넘어 전력 효율과 데이터 처리 속도를 극대화하는 방향으로 진화하고 있음을 의미한다.
    • 파운드리 공정: 가장 큰 기술적 변곡점이 예상되는 파운드리 부문에서는 EUV 도입을 핵심 축으로 삼는다. 삼성전자는 경쟁사 대비 앞선 EUV 수율 확보 및 안정화에 성공하여, 차세대 반도체 팹(Fab) 구축에 필요한 전반적인 공정 신뢰성을 높이는 데 역량을 집중할 것이라는 전망이다.

    ◼ 기술적 난관 극복을 위한 노력

    기술적 난관을 극복하는 핵심 키워드는 **‘제어 기술’**이다. 삼성전자는 공정의 물리적 한계를 뛰어넘기 위해, 극자외선 빛의 간섭 현상 및 오염 제어 등 미세 공정에서 발생할 수 있는 변수들을 정밀하게 통제하는 데 기술 역량을 집중하고 있다.

    특히, ‘High-NA EUV’ 기술은 현존하는 EUV 기술보다 더 높은 해상도를 제공하여, 더욱 촘촘하고 정교한 회로 구현을 가능하게 함으로써 차세대 반도체 소자의 성능 한계를 근본적으로 돌파하는 핵심 열쇠가 될 것으로 기대된다.

    이러한 로드맵과 기술적 깊이는 삼성전자가 메모리 및 파운드리 시장의 기술 리더십을 공고히 하고, 미래 반도체 산업의 패러다임을 주도하겠다는 강력한 의지를 보여주는 것으로 평가된다.


    (참고: 위의 버전은 전달해주신 내용을 바탕으로 전문적인 기사 형식으로 다듬은 예시입니다. 필요에 따라 제목과 소제목을 조정하여 사용하시면 됩니다.)

    [출처:] https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/tsmc-reiterates-it-doesnt-need-high-na-euv-for-1-4nm-class-process-technology