• TSMC, 미국 내 팹(fab) 건설 속도 높일 것…올해 세 번째 팹 건설 착수 예정

    '대만식 속도로' 구축.

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    티에스엠씨(TSMC)가 애리조나주 피닉스 근처에 위치한 Fab 21의 첫 번째 모듈을 착공부터 생산 개시까지 구축하는 데는 약 5년이 걸렸다. 이는 회사가 대만에서 팹을 건설하는 데 걸리는 기간보다 상당히 긴 시간이다. 그러나 미국 현지에서 근무하는 티에스엠씨 임원들이 미국 내 팹 건설 방법을 습득하면서, 세계 최고의 계약 칩 제조업체는 미국 생산 시설 구축 속도를 대만 내 운영 속도(약 2년)와 비슷하게 맞출 계획이라고 니케이(Nikkei)가 보도했다. 다만, 늘 그렇듯 고려해야 할 몇 가지 전제가 있다.

    Fab 21 모듈 1 건설에 약 5년이 소요된 배경에는 인력 문제, 급등하는 비용, 문화적 장벽 등의 어려움이 있었다. 하지만 잠재적인 건설 병목 현상과 신뢰할 수 있는 현지 계약업체가 모두 파악되었기 때문에, 티에스엠씨는 신규 Fab 21 모듈을 대만에서의 통상적인 2년 주기에 근접한 속도로 건설할 수 있을 것으로 기대된다. 물론 티에스엠씨가 미국 내에서 자국 건설 속도를 맞출지 여부는 아직 공식적으로 확인되지 않았다. 다만 니카이에 따르면, 회사는 올해 미국에서 세 번째 팹인 Fab 21 모듈 3 건설에 착수할 계획이다.

    한 티에스엠씨 임원은 니카이와의 인터뷰에서 "힘든 학습 과정을 거치면서 마침내 주요 과제들을 해결했고, 이제 신규 공장을 건설하는 데 협력할 수 있는 지역 건설업체들을 파악했다"고 전했다.

    티에스엠씨, 애리조나에 팹 12개와 패키징 시설 4개 건설 계획

    현재 회사는 Fab 21 모듈 1에 장비 설치를 완료하고, 순차적으로 건설이 끝나는 Fab 21 모듈 2로 장비를 이전할 예정이다. 티에스엠씨는 계획대로 Fab 21 모듈 2에서 3nm급 공정 기술(N3B, N3E, N3P, N3X 등) 칩의 시험 생산을 2026년경 시작하고, 2028년까지 대량 생산을 개시할 것으로 예상한다.

    만약 티에스엠씨가 실제로 약 2년 내에 2nm급을 지원하는 Fab 21 모듈 3 건설을 완료할 계획이라면, 미국 내 N2 시리즈 및 A16 (1.6nm급) 공정 기술 칩의 생산 가속화가 가능하다. 만약 해당 시설이 2027년 하반기에 준비되고 설비가 갖춰지면, 대만으로부터의 기술 이전을 시작할 잠재력이 열린다. 모든 것이 순조롭게 진행될 경우, 시험 생산은 2028년경, 양산은 2029년에 돌입할 수 있다.

    그러나 가장 큰 난관은 건설 속도를 크게 높였을 때 필요한 모든 첨단 장비를 제때 확보할 수 있는가 하는 점이다. ASML이나 Applied Materials 같은 주요 장비 공급업체들은 수십억 달러 규모의 백로그를 보유하고 있으며, 리드 타임을 단축하려면 새로운 생산 역량 확보가 필수적이기에 당초 계약된 시점보다 장비를 더 빨리 납품하는 것은 쉽지 않다. 비록 티에스엠씨가 미국 내 생산 기지 확장을 간절히 원하고 (특히 트럼프 대통령의 관세 위협과 같은 지정학적 상황에서), 팹 장비를 눈에 띄게 단축하여 확보하는 것은 여전히 어려운 과제이다.

    [출처:] https://www.tomshardware.com/tech-industry/tsmc-to-reportedly-speed-up-fab-building-in-the-us-third-fab-to-begin-construction-this-year