사용 중인 두 시스템.
로이터 통신에 따르면, 인텔은 최첨단 ASML의 High-NA Twinscan EXE:5000 EUV 리소그래피 장비 두 대를 사용하기 시작했다고 지난 월요일 업계 컨퍼런스에서 공개했습니다. 인텔은 이 시스템들을 연구 개발(R&D) 목적으로 활용하고 있으며, 현재까지 이를 이용해 수만 개의 웨이퍼를 처리했습니다.
인텔은 지난해 오리건주 힐즈보로에 위치한 D1 개발 팹에 ASML의 High-NA EUV 리소그래피 장비 두 대를 설치하여 사용을 시작했습니다. 인텔 엔지니어 스티브 카슨은 SPIE 첨단 리소그래피 및 패터닝(Advanced Lithography + Patterning) 컨퍼런스에서 이 시스템들을 이용해 최대 30,000개의 웨이퍼를 처리했다고 밝혔습니다. 인텔은 지난해 High-NA EUV 장비(각 장비당 약 3억 5천만 유로로 추정)를 확보한 최초의 선도적 칩 제조사였으며, 이 장비들을 활용하여 수년 뒤에 출시될 14A(1.4nm급) 칩을 생산할 계획입니다.
경쟁사보다 혁신적인 제조 장비를 선제적으로 도입하는 것은, 인텔이 궁극적으로 산업 표준으로 자리 잡을 수 있는 다양한 High-NA EUV 제조 측면(예: 포토마스크용 글래스, 펠리클, 화학 물질 등)을 개발할 수 있게 한다는 점에서 중요합니다. 또한, ASML은 인텔 엔지니어들로부터 받은 피드백을 바탕으로 Twinscan EXE:5000 High-NA EUV 장비를 발전시킬 예정이며, 이는 장기적으로 ASML이 경쟁사 대비 우위를 점할 수 있는 기반이 될 것으로 기대됩니다.
ASML, EUV 칩 제조 기술의 획기적 발전과 2030년까지 처리 속도 50% 향상 계획 발표
분기당 30,000개의 웨이퍼 처리량은 상업용 시스템이 달성하는 수준에 비하면 여전히 낮은 수치입니다. 하지만 이 수치는 R&D 용도로는 엄청난 양이며, High-NA EUV 시대의 선두 주자가 되려는 인텔의 강력한 의지를 입증합니다.
ASML은 자사의 Twinscan EXE:5000 High-NA EUV 리소그래피 장비를 고부하 양산(HVM)용으로 설계된 장비가 아닌 '사전 생산용(pre-production)' 장비로 간주하고 있지만, 인텔은 이 시스템들이 "기존 모델보다 신뢰성이 높다"고 보도했습니다. 다만, 이 보도만으로는 ASML의 Twinscan EXE:5000이 기존 EUV 생태계 개발에 쓰였던 2013년 사내 사전 생산 모델인 Twinscan NXE:3300보다 더 신뢰도가 높은지, 혹은 현재 HVM에 사용되는 양산 등급 모델인 Twinscan NXE:3600D나 NXE:3800E보다 더 신뢰성이 높은지에 대한 구체적인 설명은 부족했습니다. 하지만 ASML이 NXE와 EXE 장비에 유사한 광원을 사용한다는 점을 고려할 때, 전반적인 신뢰도는 매우 높을 것으로 예상됩니다.
ASML의 Twinscan EXE High-NA EUV 리소그래피 장비는 단일 노출만으로 8nm까지 해상도를 달성할 수 있어, 단일 노출로 13.5nm 해상도를 제공하는 Low-NA EUV 시스템과 비교하여 큰 폭의 개선을 이루었습니다. 현재 세대 Low-NA EUV 장비가 더블 패터닝을 통해 8nm 해상도를 여전히 구현할 수는 있지만, 이는 공정 사이클을 길게 하고 수율에 부정적인 영향을 줄 수 있습니다. 또한, High-NA EUV 장비는 Low-NA EUV 시스템 대비 노출 필드(exposure field)를 절반으로 줄여 칩 설계사들이 설계 변경을 최소화할 수 있게 해줍니다. High-NA EUV 리소 시스템이 지닌 높은 비용과 특수성을 고려할 때, 각 칩 제조사는 도입에 있어 상이한 전략을 가지고 있습니다. 인텔은 명확히 최초 도입자가 되기를 목표로 하는 반면, TSMC는 상대적으로 신중한 태도를 보이고 있습니다.