비트 밀도, 인터페이스 속도, 전력 효율성도 향상합니다.
키옥시아는 선디스크와의 파트너십을 통해 국제식막회로공학회의(ISSCC) 2025에서 열린 보도 자료에서 10세대 3D NAND 플래시 메모리 기술을 공개했다. 이 신기술은 이전 세대에 비해 성능은 최대 33% 향상되었으며, 비트 밀도, 인터페이스 속도, 전력 효율성 면에서 개선을 이루었다.
키옥시아의 새로운 3D 플래시 메모리는 CMOS 직접 본딩 배열(CMOS directly Bonded to Array, CBA) 구조를 채택한다. CBA는 별도로 제조된 CMOS 웨이퍼와 셀 어레이 웨이퍼를 본딩하여 구현되며, 이는 키옥시아의 8세대 3D NAND 제품에서도 사용된 기술이다. 다만, 이번 공개에서 가장 주목할 만한 부분은 최대 4.8 Gb/s의 NAND 인터페이스 속도를 지원하는 새로운 인터페이스 표준인 Toggle DDR6.0 도입이다.
키옥시아는 이러한 기술적 진보 덕분에 속도가 8세대 기술 대비 최대 33% 빠르다고 주장한다. 이러한 성능 향상은 메모리 레이어 수가 8세대의 218개에서 322개로 증가한 것(총 38% 증가)에 일부 기인한다.
한편, 키옥시아는 2D NAND 제품의 단종을 발표했으며, 마지막 출하 시점은 2028년으로 예정되어 있다.
현재 322개 레이어는 회사가 목표하는 2027년까지 1,000층 3D NAND와는 아직 상당한 거리가 있지만, 이는 여전히 인상적인 성과다. 또한 키옥시아는 322층 3D NAND가 비트 밀도를 59% 향상시켰다고 밝혔다.
| YMTC | Micron | Samsung | WD/Kioxia | SK hynix | Sandisk/Kioxia | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Generation | Xtacking 3.0/Gen 4 | Gen 9 (G9) | V9 | BiCS 8 | Gen 9 | Gen 10 |
| Number of Layers | 232-Layer | 276-Layer | 290-Layer (?) | 218-Layer | 321-Layer | 332-Layer |
| Density per square mm | >20 Gb mm^2 | 19.8 Gb mm^2 | 21.0 Gb mm^2 | 17 Gb mm^2 | 22.9 Gb mm^2 (?) | 20 mm^2 |
| 36.4 Gb mm^2(?) | ||||||
| Architecture | TLC | QLC | TLC | QLC | TLC | Die Capacity |
| Die Capacity | 1 Tb | 2 Tb | 1 Tb | Interface Speed | ||
| Interface Speed | Up to 3600 MT/s | Up to 3200 MT/s | Up to 3600 MT/s | Up to 4800 MT/s (?) | Next-Gen (release date) | |
| Next-Gen (release date) | Xtacking 4.0 (?) | (unknown) | 3xx (unknown) |
키옥시아가 제공한 데이터를 분석해 추정해 볼 때, 10세대는 비트 밀도가 59% 향상됨에 따라 제곱밀리미터당 36.2 Gb에 달할 것으로 예상된다.
이와 관련하여, SSD 분야의 전문가들은 인터뷰를 통해, (중략)이라고 언급했다.
키 포인트는, (중략)을 강조했다.
더 나아가, (중략)을 역설했다.