어느 정도는요.
장강메모리테크놀로지스(Yangtze Memory Technologies Co., YMTC)가 총 294 레이어에 232개 활성 레이어를 갖춘 5세대 3D NAND 메모리 출하를 비공개적으로 시작한 것으로 알려졌으며, 분석 전문 기관 테크인사이트(TechInsights) 분석가들이 해당 IC 샘플을 확보하여 보고서를 작성했습니다(@Jukanlosreve). 분석 결과, YMTC는 미국 제재에도 불구하고 업계 경쟁사 수준의 비트 밀도를 성공적으로 달성했을 뿐만 아니라, 최고 수준의 수직 게이트 밀도를 구현한 것으로 나타났습니다.
다만 몇 가지 주목할 만한 점이 있습니다.
해당 칩은 총 레이어(또는 수직 NAND 스트링당 게이트 수)가 294개에 달하며, 이는 테크인사이트가 분석한 현존 상용 제품 중 최고 기록입니다. YMTC 5세대 3D NAND의 활성 레이어 수는 232개로, 총 253 레이어를 가진 같은 회사의 4세대 3D NAND와 유사한 수준입니다. 총 레이어 수의 증가는 여유분 확보를 통한 수율 개선이나 특정 기능을 구현하기 위한 방식일 수 있습니다.
이전 모델들과 마찬가지로 이 3D NAND 장치는 스트링 스태킹(string stacking) 방식을 채택하고 있습니다. 다만, YMTC가 약 147개 레이어 배열 2개를 사용했는지, 아니면 레이어가 더 적은 여러 개의 배열을 사용했는지는 불분명합니다. 어쨌든, 294 레이어(활성 레이어 및 더미 레이어 포함) 달성은 YMTC와 전체 플래시 메모리 산업에 중요한 이정표가 됩니다.
232개의 활성 레이어는 3D NAND의 기록적인 레이어 개수는 아니지만, 경쟁사들과 대등한 수준입니다. 현재 300개 이상의 활성 레이어를 보유한 제품은 SK하이닉스의 321 레이어 9세대 3D NAND가 유일하며, 이 제품은 올해 상반기 출하가 예정되어 있습니다. 294개의 총 레이어(수직 NAND 스트링당 게이트 수) 달성은 YMTC를 글로벌 NAND 플래시 메모리 시장의 강력한 주자로 자리매김하게 할 뿐만 아니라, 미국발 대규모 제재 상황 속에서 중국 반도체 산업이 상당한 진전을 이루고 있음을 시사합니다.
비트 밀도 측면에서, YMTC 5세대 3D TLC 장치는 20 Gb/mm²를 초과하며, 이는 SK하이닉스 G9 3D TLC NAND IC가 제공하는 수준과 일치하며, 테크인사이트에 따르면 Kioxia/Western Digital BiCS8 3D QLC NAND가 제공하는 22.9 Gb/mm²보다는 약간 낮은 수준입니다. 현재 YMTC의 경쟁사들은 시장 수준과 유사한 밀도의 3D TLC NAND 칩을 아직 출시하지 못한 상태입니다.
5세대 232 레이어 3D TLC NAND 장치를 통해 장강 메모리는 플래시 어레이와 CMOS 로직 및 인터페이스를 연결하는 하이브리드 본딩 기술을 지속적으로 활용하고 있습니다. 이를 통해 경쟁사 제품보다 우수한 SSD를 위한 최대 스토리지 밀도와 I/O 성능을 구현할 수 있습니다. YMTC의 3D TLC NAND IC는 Xtacking 4.0 아키텍처를 사용합니다.
NAND 스트링당 294개 게이트를 갖춘 YMTC의 232 레이어 3D NAND는 회사 자체는 물론 중국 메모리 산업 전반에 걸쳐 중요한 이정표를 세웠다는 점에서 의미가 큽니다. 장강 메모리가 5세대 3D TLC NAND 장치를 공식 발표하기보다는 조용히 양산 출하를 시작했다는 점은 주목할 만합니다. 이러한 행보는 미국 정부의 관심이나 추가 제재 위험을 피하기 위해 전략적으로 이루어진 것으로 추정됩니다.